RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
49
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3385
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link