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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
49
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2850
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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