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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3199
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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