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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
4072
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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