RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2733
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link