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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1832
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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