RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
49
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
48
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2568
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link