RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
49
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2413
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link