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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
49
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2828
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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