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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
76
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
10.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
76
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
1718
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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