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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3090
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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