RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
47
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3277
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link