RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3299
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link