RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
47
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2471
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link