RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3188
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link