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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
47
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3832
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XF875V-HYA 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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