RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3164
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link