RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
47
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2665
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link