RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
47
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3628
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link