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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
47
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3221
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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