RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
47
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2632
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link