RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2323
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link