RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
101
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
101
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
1311
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link