RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
50
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
50
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2424
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link