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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
42
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2476
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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