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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3030
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
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