RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
33
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
19
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3383
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link