RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2806
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B2GC9.CY10C 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link