RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3241
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link