RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
40
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
40
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2254
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link