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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2925
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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