RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2430
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link