RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2339
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link