RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
33
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
21
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2772
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link