RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2708
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link