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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3963
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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