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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3372
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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