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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
94
Por volta de 65% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
94
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
1506
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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