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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2879
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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