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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
AMD R748G2606U2S 8GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
AMD R748G2606U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
61
63
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
61
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2028
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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AMD R748G2606U2S 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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