RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
63
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
37
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
3373
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link