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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
63
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2456
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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