RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
4100
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link