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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
70
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
70
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
1934
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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