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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
83
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
83
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
1752
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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