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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
63
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
3017
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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