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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
63
Por volta de -186% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
22
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2623
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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