RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
63
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
36
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2489
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link