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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
63
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2379
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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