RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2938
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link